VND5N07TR-E ಹೊಸ ಮತ್ತು ಮೂಲ MOSFET ಪವರ್ ಸ್ವಿಚ್/ಡ್ರೈವರ್ 1:1 N-ಚಾನೆಲ್ 3.5A DPAK

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

Mfr.Part: VND5N07TR-E
ತಯಾರಕ: STMಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
ಪ್ಯಾಕೇಜ್: DPAK/TO252
ವಿವರಣೆ: MOSFET
ಡೇಟಾಶೀಟ್: ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಿ.

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಉತ್ಪನ್ನ ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್

ವಿವರಣೆ

VND5N07-E ಒಂದು ಏಕಶಿಲೆಯ ಸಾಧನವನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ
STMicroelectronics® VIPower® M0 ಬಳಸಿ
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ, ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಬದಲಿಸಲು ಉದ್ದೇಶಿಸಲಾಗಿದೆ
DC ನಿಂದ 50 KHz ವರೆಗೆ MOSFET ಗಳನ್ನು ಪವರ್ ಮಾಡಿ
ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು.ಅಂತರ್ನಿರ್ಮಿತ ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಗಿತ, ರೇಖೀಯ
ಪ್ರಸ್ತುತ ಮಿತಿ ಮತ್ತು ಓವರ್ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕ್ಲಾಂಪ್ ರಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ
ಕಠಿಣ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಚಿಪ್.
ದೋಷದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಕಂಡುಹಿಡಿಯಬಹುದು
ಇನ್ಪುಟ್ ಪಿನ್ನಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್.

ವಿಶೇಷಣಗಳು
ಗುಣಲಕ್ಷಣ	ಮೌಲ್ಯ
ವರ್ಗ	ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು (ICs)
	PMIC - ಪವರ್ ಡಿಸ್ಟ್ರಿಬ್ಯೂಷನ್ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳು, ಲೋಡ್ ಡ್ರೈವರ್‌ಗಳು
	STMಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್
	OMNIFET II ವಿಪವರ್
	ಟೇಪ್ & ರೀಲ್ (TR)
	ಕಟ್ ಟೇಪ್ (CT)
	ಡಿಜಿ-ರೀಲ್
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ	ಸಕ್ರಿಯ
ಸ್ವಿಚ್ ಪ್ರಕಾರ	ಸಾಮಾನ್ಯ ಉದ್ದೇಶ
ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ	1
ಅನುಪಾತ - ಇನ್ಪುಟ್:ಔಟ್ಪುಟ್	1:01
ಔಟ್ಪುಟ್ ಕಾನ್ಫಿಗರೇಶನ್	ಲೋ ಸೈಡ್
ಔಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ	ಎನ್-ಚಾನೆಲ್
ಇಂಟರ್ಫೇಸ್	ಆನ್/ಆಫ್
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಲೋಡ್	55V (ಗರಿಷ್ಠ)
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ (Vcc/Vdd)	ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಔಟ್‌ಪುಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ)	3.5A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಟೈಪ್)	200mOhm (ಗರಿಷ್ಠ)
ಇನ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ	ನಾನ್-ಇನ್ವರ್ಟಿಂಗ್
ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು	-
ದೋಷ ರಕ್ಷಣೆ	ಪ್ರಸ್ತುತ ಮಿತಿ (ಸ್ಥಿರ), ತಾಪಮಾನದ ಮೇಲೆ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಓವರ್
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ	-40°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವ ವಿಧ	ಮೇಲ್ಮೈ ಮೌಂಟ್
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್	DPAK
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಕೇಸ್	TO-252-3, DPak (2 ಲೀಡ್ಸ್ + ಟ್ಯಾಬ್), SC-63